TE28F256J3D95B TR est disponible maintenant!La technologie LYNTEAM est le distributeur de stockage pour TE28F256J3D95B TR, nous avons les stocks d'expédition immédiate et également disponibles pour l'approvisionnement de longue date.Veuillez nous envoyer votre plan d'achat pour TE28F256J3D95B TR par courrier électronique, nous vous donnerons un meilleur prix en fonction de votre plan.
Achetez TE28F256J3D95B TR avec LYNTEAM, économisez votre argent et votre temps.
Notre email: [email protected]
TE28F256J3D95B TR
- Modèle de produit:
- TE28F256J3D95B TR
- Fabricant:
- Micron Technology
- La description:
- IC FLASH 256M PARALLEL 56TSOP
- Statut sans plomb:
- Contient du plomb / Non conforme à RoHS
- Quantité en stock:
- 54683 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Délai de mise en œuvre:
- 4-8 weeks
- Fiche technique:
- TE28F256J3D95B TR.pdf
introduction
Spécifications
| État | New & Original, tested |
|---|---|
| Pays d'origine | Contact us |
| Code de marquage | Send by email |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page: | 95ns |
| Tension - Alimentation: | 2.7 V ~ 3.6 V |
| La technologie: | FLASH - NOR |
| Package composant fournisseur: | 56-TSOP (14x20) |
| Séries: | StrataFlash™ |
| Emballage: | Cut Tape (CT) |
| Package / Boîte: | 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
| Autres noms: | 888109CT 888109CT-ND TE28F256J3D95B CT TE28F256J3D95B CT-ND TE28F256J3D95BCT |
| Température de fonctionnement: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 2 (1 Year) |
| Type de mémoire: | Non-Volatile |
| Taille mémoire: | 256Mb (32M x 8, 16M x 16) |
| Interface mémoire: | Parallel |
| Format de mémoire: | FLASH |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Description détaillée: | FLASH - NOR Memory IC 256Mb (32M x 8, 16M x 16) Parallel 95ns 56-TSOP (14x20) |
| Numéro de pièce de base: | 28F256J3 |
| Temps d'accès: | 95ns |
| Email: | [email protected] |
pièces connexes TE28F256J3D95B TR
Latest Nouvelles
- Qorvo a lancé les préliminaires exceptionnels de l'industrie High-Gain MMIMO de l'industrie
- Inventaire du cycle de simulation Fothing Out, AI Drives La demande de mémoire flash se poursuit
- Le plan de Micron pour construire une mémoire flash nand à des prix élevés ou une maintenance
- Les performances ADI sont réduites, les substrats en feuille de cuivre ont augmenté, le stockage de la production d'usine d'usine d'origine conservatrice
- La vague d'intelligence dans la voiture arrive, et Aimus Oslang a aidé Sagita Juguang à libérer le MX Lidar
- La capacité de production HBM est exclue, la mémoire DRAM peut être en panne au second semestre
- Les fondateurs de mur finiront, HBM ou feront remonter le DRAM
- Demande d'expansion des téléphones portables et PC IA, amélioration de l'industrie mondiale de la fabrication de semi-conducteurs
- Comprendre les besoins des systèmes de surveillance ADAS et de cabine pour les capteurs d'image de sécurité du réseau
- Il est dit que Samsung et Sk Hynix ont arrêté DDR3, et la citation de promotion a augmenté de 20%
- Melexis a publié MLX90427: Contrôle des lignes au nouveau choix, sûr, efficace et économique
- Le rapport financier de NXP et Ansonmei a annoncé et le prix des prix du cuivre est transmis à l'industrie IC