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SSM6N58NU,LF
- Modèle de produit:
- SSM6N58NU,LF
- Fabricant:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- La description:
- MOSFET 2N-CH 30V 4A UDFN6
- Statut sans plomb:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- Quantité en stock:
- 59511 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Délai de mise en œuvre:
- 4-8 weeks
- Fiche technique:
- SSM6N58NU,LF.pdf
introduction
Spécifications
| État | New & Original, tested |
|---|---|
| Pays d'origine | Contact us |
| Code de marquage | Send by email |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 1V @ 1mA |
| Package composant fournisseur: | 6-UDFN (2x2) |
| Séries: | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 84 mOhm @ 2A, 4.5V |
| Puissance - Max: | 1W |
| Emballage: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte: | 6-WDFN Exposed Pad |
| Autres noms: | SSM6N58NU,LF(B SSM6N58NU,LF(T SSM6N58NULF SSM6N58NULFTR |
| Température de fonctionnement: | 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 129pF @ 15V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 1.8nC @ 4.5V |
| type de FET: | 2 N-Channel (Dual) |
| Fonction FET: | Logic Level Gate, 1.8V Drive |
| Tension drain-source (Vdss): | 30V |
| Description détaillée: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 4A 1W Surface Mount 6-UDFN (2x2) |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 4A |
| Email: | [email protected] |
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