SSM6N48FU,RF(D
Modèle de produit:
SSM6N48FU,RF(D
Fabricant:
Toshiba Semiconductor and Storage
La description:
MOSFET 2N-CH 30V 0.1A
Statut sans plomb:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité en stock:
42489 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
SSM6N48FU,RF(D.pdf

introduction

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Spécifications

État New & Original, tested
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Vgs (th) (Max) @ Id:1.5V @ 100µA
Package composant fournisseur:US6
Séries:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:3.2 Ohm @ 10mA, 4V
Puissance - Max:300mW
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Autres noms:SSM6N48FURF(D
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:15.1pF @ 3V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:-
type de FET:2 N-Channel (Dual)
Fonction FET:Logic Level Gate, 2.5V Drive
Tension drain-source (Vdss):30V
Description détaillée:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 100mA (Ta) 300mW Surface Mount US6
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:100mA (Ta)
Email:[email protected]

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