RMLV0816BGSD-4S2#HC0
RMLV0816BGSD-4S2#HC0
Modèle de produit:
RMLV0816BGSD-4S2#HC0
Fabricant:
Renesas Electronics America
La description:
IC SRAM 8M PARALLEL 52TSOP
Statut sans plomb:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité en stock:
58388 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
RMLV0816BGSD-4S2#HC0.pdf

introduction

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Spécifications

État New & Original, tested
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Code de marquage Send by email
Écrire le temps de cycle - Word, Page:45ns
Tension - Alimentation:2.4 V ~ 3.6 V
La technologie:SRAM
Package composant fournisseur:52-TSOP II
Séries:-
Emballage:Cut Tape (CT)
Package / Boîte:52-TFSOP (0.350", 8.89mm Width)
Autres noms:RMLV0816BGSD-4S2#HC0CT
Température de fonctionnement:-40°C ~ 85°C (TA)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):3 (168 Hours)
Type de mémoire:Volatile
Taille mémoire:8Mb (1M x 8, 512K x 16)
Interface mémoire:Parallel
Format de mémoire:SRAM
Délai de livraison standard du fabricant:18 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Description détaillée:SRAM Memory IC 8Mb (1M x 8, 512K x 16) Parallel 45ns 52-TSOP II
Temps d'accès:45ns
Email:[email protected]

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