RMLV0816BGSD-4S2#HC0
RMLV0816BGSD-4S2#HC0
Modello di prodotti:
RMLV0816BGSD-4S2#HC0
fabbricante:
Renesas Electronics America
Descrizione:
IC SRAM 8M PARALLEL 52TSOP
Stato senza piombo:
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità di magazzino:
58388 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Tempi di consegna:
4-8 weeks
Scheda dati:
RMLV0816BGSD-4S2#HC0.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Original, tested
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Codice di marcatura Send by email
Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina:45ns
Tensione di alimentazione -:2.4 V ~ 3.6 V
Tecnologia:SRAM
Contenitore dispositivo fornitore:52-TSOP II
Serie:-
imballaggio:Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro:52-TFSOP (0.350", 8.89mm Width)
Altri nomi:RMLV0816BGSD-4S2#HC0CT
temperatura di esercizio:-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):3 (168 Hours)
Tipo di memoria:Volatile
Dimensione della memoria:8Mb (1M x 8, 512K x 16)
Interfaccia di memoria:Parallel
Formato di memoria:SRAM
Produttore tempi di consegna standard:18 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Descrizione dettagliata:SRAM Memory IC 8Mb (1M x 8, 512K x 16) Parallel 45ns 52-TSOP II
Tempo di accesso:45ns
Email:[email protected]

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