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RD0306T-H
- Modèle de produit:
- RD0306T-H
- Fabricant:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- La description:
- DIODE GEN PURP 600V 3A TP
- Statut sans plomb:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- Quantité en stock:
- 42647 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Délai de mise en œuvre:
- 4-8 weeks
- Fiche technique:
- RD0306T-H.pdf
introduction
Spécifications
| État | New & Original, tested |
|---|---|
| Pays d'origine | Contact us |
| Code de marquage | Send by email |
| Tension - directe (Vf) (max) @ Si: | 1.5V @ 3A |
| Tension - inverse (Vr) (max): | 600V |
| Package composant fournisseur: | TP |
| La vitesse: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Séries: | - |
| Temps de recouvrement inverse (trr): | 50ns |
| Emballage: | Bulk |
| Package / Boîte: | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Température d'utilisation - Jonction: | 150°C (Max) |
| Type de montage: | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Type de diode: | Standard |
| Description détaillée: | Diode Standard 600V 3A Through Hole TP |
| Courant - fuite, inverse à Vr: | 10µA @ 600V |
| Courant - Rectifié moyenne (Io): | 3A |
| Capacité à Vr, F: | - |
| Email: | [email protected] |
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