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RD0306T-H
- Número de pieza:
- RD0306T-H
- Fabricante:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Descripción:
- DIODE GEN PURP 600V 3A TP
- Estado sin plomo:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad de stock:
- 42647 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days
- Tiempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de datos:
- RD0306T-H.pdf
Introducción
Especificaciones
| Condición | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origen | Contact us |
| Código de marcado | Send by email |
| Tensión - directo (Vf) (Max) Si @: | 1.5V @ 3A |
| Voltaje - Inverso (Vr) (máx): | 600V |
| Paquete del dispositivo: | TP |
| Velocidad: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Serie: | - |
| Tiempo de recuperación inversa (trr): | 50ns |
| embalaje: | Bulk |
| Paquete / Cubierta: | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Temperatura de funcionamiento - Junction: | 150°C (Max) |
| Tipo de montaje: | Through Hole |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Tipo de diodo: | Standard |
| Descripción detallada: | Diode Standard 600V 3A Through Hole TP |
| Corriente - Fuga inversa a Vr: | 10µA @ 600V |
| Corriente - rectificada media (Io): | 3A |
| Capacitancia Vr, F: | - |
| Email: | [email protected] |
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