PMPB43XPEAX est disponible maintenant!La technologie LYNTEAM est le distributeur de stockage pour PMPB43XPEAX, nous avons les stocks d'expédition immédiate et également disponibles pour l'approvisionnement de longue date.Veuillez nous envoyer votre plan d'achat pour PMPB43XPEAX par courrier électronique, nous vous donnerons un meilleur prix en fonction de votre plan.
Achetez PMPB43XPEAX avec LYNTEAM, économisez votre argent et votre temps.
Notre email: [email protected]
PMPB43XPEAX
- Modèle de produit:
- PMPB43XPEAX
- Fabricant:
- Nexperia
- La description:
- PMPB43XPEA/SOT1220/SOT1220
- Quantité en stock:
- 47136 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Délai de mise en œuvre:
- 4-8 weeks
- Fiche technique:
- PMPB43XPEAX.pdf
introduction
Spécifications
| État | New & Original, tested |
|---|---|
| Pays d'origine | Contact us |
| Code de marquage | Send by email |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 1V @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±12V |
| La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur: | DFN2020MD-6 |
| Séries: | Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 48 mOhm @ 5A, 4.5V |
| Dissipation de puissance (max): | 1.7W (Ta), 12.5W (Tc) |
| Emballage: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte: | 6-UDFN Exposed Pad |
| Autres noms: | 934070929115 |
| Température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 16 Weeks |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 1.55nF @ 10V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 23.4nC @ 4.5V |
| type de FET: | P-Channel |
| Fonction FET: | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé): | 1.8V, 4.5V |
| Tension drain-source (Vdss): | 20V |
| Description détaillée: | P-Channel 20V 5A (Ta) 1.7W (Ta), 12.5W (Tc) Surface Mount DFN2020MD-6 |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 5A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
pièces connexes PMPB43XPEAX
| image | Modèle de produit | Fabricant | La description | Vue |
|---|---|---|---|---|
 |
PMPB29XPE,115 | Nexperia | MOSFET P-CH 20V 5A 6DFN | Enquête |
|
PMPB50ENEAX | Nexperia | PMPB50ENEA/SOT1220/SOT1220 | Enquête |
|
PMPB27EPAX | Nexperia | PMPB27EPA/SOT1220/SOT1220 | Enquête |
|
PMPB33XN,115 | Nexperia | MOSFET N-CH 30V 4.3A 6DFN | Enquête |
 |
PMPB95ENEA/FX | Nexperia | MOSFET N-CH 80V 4.1A 6DFN2020MD | Enquête |
|
PMPB50ENEX | Nexperia | PMPB50ENE/SOT1220/SOT1220 | Enquête |
|
PMPB55ENEAX | Nexperia | MOSFET N-CH 60V 4A 6DFN2020MD | Enquête |
|
PMPB48EPAX | Nexperia | PMPB48EPA/SOT1220/SOT1220 | Enquête |
|
PMPB55XNEAX | Nexperia | MOSFET N-CH 30V 3.8A 6DFN2020MD | Enquête |
|
PMPB48EP,115 | Nexperia | MOSFET P-CH 30V 4.7A 6DFN | Enquête |
|
PMPB33XP,115 | Nexperia | MOSFET P-CH 20V 5.5A 6DFN | Enquête |
|
PMPB29XNE,115 | Nexperia | MOSFET N-CH 30V 5A 6DFN | Enquête |
|
PMPB29XNEAX | Nexperia | PMPB29XNEA/SOT1220/SOT1220 | Enquête |
|
PMPB40SNA,115 | Nexperia | MOSFET N-CH 60V 12.9A 6DFN | Enquête |
|
PMPB30XPEX | Nexperia | PMPB30XPE/SOT1220/SOT1220 | Enquête |
|
PMPB29XPEAX | Nexperia | PMPB29XPEA/SOT1220/SOT1220 | Enquête |
|
PMPB47XP,115 | Nexperia | MOSFET P-CH 30V 4A 6DFN | Enquête |
|
PMPB85ENEAX | Nexperia | MOSFET N-CH 60V 3A SOT1220 | Enquête |
|
PMPB43XPE,115 | Nexperia | MOSFET P-CH 20V 5A 6DFN | Enquête |
|
PMPB85ENEA/FX | Nexperia | MOSFET N-CH 60V 4.4A 6DFN2020MD | Enquête |
Latest Nouvelles
- Qorvo a lancé les préliminaires exceptionnels de l'industrie High-Gain MMIMO de l'industrie
- Inventaire du cycle de simulation Fothing Out, AI Drives La demande de mémoire flash se poursuit
- Le plan de Micron pour construire une mémoire flash nand à des prix élevés ou une maintenance
- Les performances ADI sont réduites, les substrats en feuille de cuivre ont augmenté, le stockage de la production d'usine d'usine d'origine conservatrice
- La vague d'intelligence dans la voiture arrive, et Aimus Oslang a aidé Sagita Juguang à libérer le MX Lidar
- La capacité de production HBM est exclue, la mémoire DRAM peut être en panne au second semestre
- Les fondateurs de mur finiront, HBM ou feront remonter le DRAM
- Demande d'expansion des téléphones portables et PC IA, amélioration de l'industrie mondiale de la fabrication de semi-conducteurs
- Comprendre les besoins des systèmes de surveillance ADAS et de cabine pour les capteurs d'image de sécurité du réseau
- Il est dit que Samsung et Sk Hynix ont arrêté DDR3, et la citation de promotion a augmenté de 20%
- Melexis a publié MLX90427: Contrôle des lignes au nouveau choix, sûr, efficace et économique
- Le rapport financier de NXP et Ansonmei a annoncé et le prix des prix du cuivre est transmis à l'industrie IC