PMPB43XPEAX je nyní k dispozici!Technologie LYNTEAM je distributorem skladování pro PMPB43XPEAX, máme akcie pro okamžitou dopravu a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky.Prosím, pošlete nám svůj kupní plán pro PMPB43XPEAX e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Kupte si PMPB43XPEAX s LYNTEAM, uložte své peníze a čas.
Náš email: [email protected]
PMPB43XPEAX
- Part Number:
- PMPB43XPEAX
- Výrobce:
- Nexperia
- Popis:
- PMPB43XPEA/SOT1220/SOT1220
- Množství zásob:
- 47136 Pieces
- Čas doručení:
- 1-2 days
- Dodací lhůta:
- 4-8 weeks
- Datový list:
- PMPB43XPEAX.pdf
Úvod
Specifikace
| Stav | New & Original, tested |
|---|---|
| Země původu | Contact us |
| Označovací kód | Send by email |
| Vgs (th) (max) 'Id: | 1V @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±12V |
| Technika: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Dodavatel zařízení Package: | DFN2020MD-6 |
| Série: | Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ |
| RDS On (Max) @ Id, Vgs: | 48 mOhm @ 5A, 4.5V |
| Ztráta energie (Max): | 1.7W (Ta), 12.5W (Tc) |
| Obal: | Tape & Reel (TR) |
| Paket / krabice: | 6-UDFN Exposed Pad |
| Ostatní jména: | 934070929115 |
| Provozní teplota: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Typ montáže: | Surface Mount |
| Výrobní standardní doba výroby: | 16 Weeks |
| Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds: | 1.55nF @ 10V |
| Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs: | 23.4nC @ 4.5V |
| Typ FET: | P-Channel |
| FET Feature: | - |
| Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.): | 1.8V, 4.5V |
| Drain na zdroj napětí (Vdss): | 20V |
| Detailní popis: | P-Channel 20V 5A (Ta) 1.7W (Ta), 12.5W (Tc) Surface Mount DFN2020MD-6 |
| Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C: | 5A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro PMPB43XPEAX
| Obraz | Part Number | Výrobci | Popis | Pohled |
|---|---|---|---|---|
 |
PMPB29XPE,115 | Nexperia | MOSFET P-CH 20V 5A 6DFN | Dotaz |
|
PMPB50ENEAX | Nexperia | PMPB50ENEA/SOT1220/SOT1220 | Dotaz |
|
PMPB27EPAX | Nexperia | PMPB27EPA/SOT1220/SOT1220 | Dotaz |
|
PMPB33XN,115 | Nexperia | MOSFET N-CH 30V 4.3A 6DFN | Dotaz |
 |
PMPB95ENEA/FX | Nexperia | MOSFET N-CH 80V 4.1A 6DFN2020MD | Dotaz |
|
PMPB50ENEX | Nexperia | PMPB50ENE/SOT1220/SOT1220 | Dotaz |
|
PMPB55ENEAX | Nexperia | MOSFET N-CH 60V 4A 6DFN2020MD | Dotaz |
|
PMPB48EPAX | Nexperia | PMPB48EPA/SOT1220/SOT1220 | Dotaz |
|
PMPB55XNEAX | Nexperia | MOSFET N-CH 30V 3.8A 6DFN2020MD | Dotaz |
|
PMPB48EP,115 | Nexperia | MOSFET P-CH 30V 4.7A 6DFN | Dotaz |
|
PMPB33XP,115 | Nexperia | MOSFET P-CH 20V 5.5A 6DFN | Dotaz |
|
PMPB29XNE,115 | Nexperia | MOSFET N-CH 30V 5A 6DFN | Dotaz |
|
PMPB29XNEAX | Nexperia | PMPB29XNEA/SOT1220/SOT1220 | Dotaz |
|
PMPB40SNA,115 | Nexperia | MOSFET N-CH 60V 12.9A 6DFN | Dotaz |
|
PMPB30XPEX | Nexperia | PMPB30XPE/SOT1220/SOT1220 | Dotaz |
|
PMPB29XPEAX | Nexperia | PMPB29XPEA/SOT1220/SOT1220 | Dotaz |
|
PMPB47XP,115 | Nexperia | MOSFET P-CH 30V 4A 6DFN | Dotaz |
|
PMPB85ENEAX | Nexperia | MOSFET N-CH 60V 3A SOT1220 | Dotaz |
|
PMPB43XPE,115 | Nexperia | MOSFET P-CH 20V 5A 6DFN | Dotaz |
|
PMPB85ENEA/FX | Nexperia | MOSFET N-CH 60V 4.4A 6DFN2020MD | Dotaz |
Latest News
- ARM se objevila v Computex 2024: Očekává se, že do konce roku 2025 lze pro AI použít více než 100 miliard zařízení pro AI
- Qorvo spustil vynikající odvětví vysoce -gain 5g mmimo předběžného
- AI simulační cyklus dotaz, AI řídí poptávka po paměti Flash paměť
- Micron's Plán vybudovat továrnu, Nand Flash paměť za vysoké ceny nebo údržbu
- Výkon ADI je snížen, vzrostly substráty měděné fólie, skladování původní výroby továrny Konzervativní
- Vlna inteligence v autě přichází a Aimus Oslang pomohl Sagita Juguang uvolnit MX Lidar
- Výrobní kapacita HBM je vyloučena, paměť DRAM může být v druhé polovině roku nedostatečná
- Zakladatelé zdi skončí, HBM nebo způsobí, že se opět zvýší DRAM
- Poptávka po mobilním telefonu a expanzi PC, globální polovodičové výroby průmyslu
- Pochopte potřeby systémů monitorování ADAS a kabiny pro obrazové senzory zabezpečení sítě
- Říká se, že Samsung a SK Hynix zastavili DDR3 a propagační nabídka vzrostla o 20 %
- Melexis vydala MLX90427: Ovládání linky k novému výběru, bezpečné, efektivní a ekonomické