NTF3055L108T1G
NTF3055L108T1G
Modèle de produit:
NTF3055L108T1G
Fabricant:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description:
MOSFET N-CH 60V 3A SOT223
Statut sans plomb:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité en stock:
53581 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
NTF3055L108T1G.pdf

introduction

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Spécifications

État New & Original, tested
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Code de marquage Send by email
Vgs (th) (Max) @ Id:2V @ 250µA
Vgs (Max):±15V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:SOT-223
Séries:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:120 mOhm @ 1.5A, 5V
Dissipation de puissance (max):1.3W (Ta)
Emballage:Original-Reel®
Package / Boîte:TO-261-4, TO-261AA
Autres noms:NTF3055L108T1GOSDKR
Température de fonctionnement:-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:33 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:440pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:15nC @ 5V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):5V
Tension drain-source (Vdss):60V
Description détaillée:N-Channel 60V 3A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount SOT-223
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:3A (Ta)
Email:[email protected]

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