NTF3055L108T1G
NTF3055L108T1G
Modello di prodotti:
NTF3055L108T1G
fabbricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET N-CH 60V 3A SOT223
Stato senza piombo:
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità di magazzino:
53581 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Tempi di consegna:
4-8 weeks
Scheda dati:
NTF3055L108T1G.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Original, tested
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Codice di marcatura Send by email
Vgs (th) (max) a Id:2V @ 250µA
Vgs (Max):±15V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:SOT-223
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:120 mOhm @ 1.5A, 5V
Dissipazione di potenza (max):1.3W (Ta)
imballaggio:Original-Reel®
Contenitore / involucro:TO-261-4, TO-261AA
Altri nomi:NTF3055L108T1GOSDKR
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:33 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:440pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:15nC @ 5V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):5V
Tensione drain-source (Vdss):60V
Descrizione dettagliata:N-Channel 60V 3A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount SOT-223
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:3A (Ta)
Email:[email protected]

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