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NSM21356DW6T1G
- Modèle de produit:
- NSM21356DW6T1G
- Fabricant:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- La description:
- TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT363
- Statut sans plomb:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- Quantité en stock:
- 30035 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Délai de mise en œuvre:
- 4-8 weeks
- Fiche technique:
- NSM21356DW6T1G.pdf
introduction
Spécifications
| État | New & Original, tested |
|---|---|
| Pays d'origine | Contact us |
| Code de marquage | Send by email |
| Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max): | 50V, 65V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: | 250mV @ 300µA, 10mA / 650mV @ 5mA, 100mA |
| Transistor Type: | 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP |
| Package composant fournisseur: | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
| Séries: | - |
| Résistance - Base de l'émetteur (R2): | 47 kOhms |
| Résistance - Base (R1): | 47 kOhms |
| Puissance - Max: | 230mW |
| Emballage: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte: | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Fréquence - Transition: | - |
| Description détaillée: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP 50V, 65V 100mA 230mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363 |
| Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 80 @ 5mA, 10V / 220 @ 2mA, 5V |
| Courant - Collecteur Cutoff (Max): | 500nA |
| Courant - Collecteur (Ic) (max): | 100mA |
| Email: | [email protected] |
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