NSM21356DW6T1G
NSM21356DW6T1G
Modello di prodotti:
NSM21356DW6T1G
fabbricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione:
TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT363
Stato senza piombo:
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità di magazzino:
30035 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Tempi di consegna:
4-8 weeks
Scheda dati:
NSM21356DW6T1G.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Original, tested
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Tensione - rottura collettore-emettitore (max):50V, 65V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic:250mV @ 300µA, 10mA / 650mV @ 5mA, 100mA
Tipo transistor:1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
Contenitore dispositivo fornitore:SC-88/SC70-6/SOT-363
Serie:-
Resistor - Emitter Base (R2):47 kOhms
Resistor - Base (R1):47 kOhms
Potenza - Max:230mW
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Frequenza - transizione:-
Descrizione dettagliata:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP 50V, 65V 100mA 230mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce:80 @ 5mA, 10V / 220 @ 2mA, 5V
Corrente - Cutoff collettore (max):500nA
Corrente - collettore (Ic) (max):100mA
Email:[email protected]

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