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NAND04GR3B2DN6E
- Modèle de produit:
- NAND04GR3B2DN6E
- Fabricant:
- Micron Technology
- La description:
- IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP
- Statut sans plomb:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- Quantité en stock:
- 43051 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Délai de mise en œuvre:
- 4-8 weeks
- Fiche technique:
- NAND04GR3B2DN6E.pdf
introduction
Spécifications
| État | New & Original, tested |
|---|---|
| Pays d'origine | Contact us |
| Code de marquage | Send by email |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page: | 25ns |
| Tension - Alimentation: | 1.7 V ~ 1.95 V |
| La technologie: | FLASH - NAND |
| Package composant fournisseur: | 48-TSOP |
| Séries: | - |
| Emballage: | Tray |
| Package / Boîte: | 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
| Température de fonctionnement: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Type de mémoire: | Non-Volatile |
| Taille mémoire: | 4Gb (512M x 8) |
| Interface mémoire: | Parallel |
| Format de mémoire: | FLASH |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Description détaillée: | FLASH - NAND Memory IC 4Gb (512M x 8) Parallel 25ns 48-TSOP |
| Numéro de pièce de base: | NAND04G |
| Temps d'accès: | 25ns |
| Email: | [email protected] |
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