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NAND04GR3B2DN6E
- Número de pieza:
- NAND04GR3B2DN6E
- Fabricante:
- Micron Technology
- Descripción:
- IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP
- Estado sin plomo:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad de stock:
- 43051 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days
- Tiempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de datos:
- NAND04GR3B2DN6E.pdf
Introducción
Especificaciones
| Condición | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origen | Contact us |
| Código de marcado | Send by email |
| Escribir tiempo de ciclo - Word, Página: | 25ns |
| Suministro de voltaje: | 1.7 V ~ 1.95 V |
| Tecnología: | FLASH - NAND |
| Paquete del dispositivo: | 48-TSOP |
| Serie: | - |
| embalaje: | Tray |
| Paquete / Cubierta: | 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
| Temperatura de funcionamiento: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Tipo de memoria: | Non-Volatile |
| Tamaño de la memoria: | 4Gb (512M x 8) |
| Interfaz de memoria: | Parallel |
| Formato de memoria: | FLASH |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Descripción detallada: | FLASH - NAND Memory IC 4Gb (512M x 8) Parallel 25ns 48-TSOP |
| Número de pieza base: | NAND04G |
| Tiempo de acceso: | 25ns |
| Email: | [email protected] |
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