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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - bipolaire (BJT) - RF > MRF5812R2
MRF5812R2
Modèle de produit:
MRF5812R2
Fabricant:
Microsemi
La description:
RF TRANS NPN 18V 200MA 8SOIC
Quantité en stock:
50180 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
MRF5812R2.pdf
Enquête

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Spécifications

État New & Original, tested
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Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max):200mA
Tension - Ventilation:8-SO
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:18V
Séries:-
État RoHS:Tape & Reel (TR)
Resistor - Base (R1) (Ohms):5GHz
Puissance - Max:1.25W
Polarisation:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Température de fonctionnement:150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Référence fabricant:MRF5812R2
Gain:2dB @ 500MHz
Fréquence - Transition:50 @ 50mA, 5V
type de FET:15.5dB
Description élargie:RF Transistor NPN 18V 200mA 5GHz 1.25W Surface Mount 8-SO
La description:RF TRANS NPN 18V 200MA 8SOIC
Courant - Collecteur (Ic) (max):NPN
Email:[email protected]

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