MRF5812R2 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل MRF5812R2، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل MRF5812R2 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء MRF5812R2 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
MRF5812R2
- رقم القطعة:
- MRF5812R2
- الصانع:
- Microsemi
- وصف:
- RF TRANS NPN 18V 200MA 8SOIC
- كمية المخزون:
- 50180 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- MRF5812R2.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس): | 200mA |
| الجهد - انهيار: | 8-SO |
| اصلاحات تشبع (ماكس) @ باء، جيم: | 18V |
| سلسلة: | - |
| بنفايات الحالة: | Tape & Reel (TR) |
| المقاوم - قاعدة (R1) (أوم): | 5GHz |
| السلطة - ماكس: | 1.25W |
| الاستقطاب: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| درجة حرارة التشغيل: | 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | MRF5812R2 |
| ربح: | 2dB @ 500MHz |
| تردد - تحول: | 50 @ 50mA, 5V |
| نوع FET: | 15.5dB |
| وصف موسع: | RF Transistor NPN 18V 200mA 5GHz 1.25W Surface Mount 8-SO |
| وصف: | RF TRANS NPN 18V 200MA 8SOIC |
| الحالي - جامع (IC) (ماكس): | NPN |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لMRF5812R2
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
MRF5812GR1 | Microsemi | TRANS NPN 15V 200MA 8-SOIC | تحقيق |
 |
MRF586 | Microsemi | TRANS RF BIPO 1W 200MA TO39 | تحقيق |
 |
MRF5P21045NR1 | NXP Semiconductors / Freescale | FET RF 2CH 65V 2.17GHZ TO-270-4 | تحقيق |
 |
MRF581 | Microsemi | TRANS NPN 18V 200MA MACRO X | تحقيق |
 |
MRF5P20180HR5 | NXP Semiconductors / Freescale | FET RF 65V 1.99GHZ NI-1230 | تحقيق |
 |
MRF5812M | Microsemi | TRANS NPN 15V 200MA | تحقيق |
 |
MRF5P21180HR6 | NXP Semiconductors / Freescale | FET RF 65V 2.16GHZ NI-1230 | تحقيق |
|
MRF5P20180HR6 | NXP Semiconductors / Freescale | FET RF 65V 1.99GHZ NI-1230 | تحقيق |
 |
MRF581G | Microsemi | TRANS NPN 18V 200MA MACRO X | تحقيق |
|
MRF5812R1 | Microsemi | TRANS NPN 15V 200MA SO8 | تحقيق |
|
MRF5812MR1 | Microsemi | TRANS NPN 15V 200MA | تحقيق |
|
MRF5812MR2 | Microsemi | TRANS NPN 15V 200MA | تحقيق |
|
MRF5P21180HR5 | NXP Semiconductors / Freescale | FET RF 65V 2.16GHZ NI-1230 | تحقيق |
|
MRF5812G | Microsemi | TRANS NPN 15V 200MA SO8 | تحقيق |
|
MRF559T | Microsemi | COMM/BIPOLAR TRANSISTOR | تحقيق |
|
MRF586G | Microsemi | TRANS BIPO NPN TO-39 | تحقيق |
|
MRF5812GR2 | Microsemi | TRANS NPN 15V 200MA 8-SOIC | تحقيق |
 |
MRF581AG | Microsemi | TRANS RF NPN 5GHZ 15V MACR0 X | تحقيق |
 |
MRF581A | Microsemi | TRANS NPN 15V 200MA MACRO X | تحقيق |
|
MRF5812 | Microsemi | TRANS NPN 15V 200MA SO8 | تحقيق |
Latest الأخبار
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM
- تتيح الرقائق الدقيقة القدرة الإنتاجية لـ TSMC ويزيد من زيادة الأسعار
- أطلقت Ruisa New RA0 Series Ultra -low Power Entry -lovel MCU