MRF5812R1 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل MRF5812R1، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل MRF5812R1 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء MRF5812R1 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
MRF5812R1
- رقم القطعة:
- MRF5812R1
- الصانع:
- Microsemi
- وصف:
- TRANS NPN 15V 200MA SO8
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 50916 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- MRF5812R1.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس): | 15V |
| نوع الترانزستور: | NPN |
| تجار الأجهزة حزمة: | 8-SO |
| سلسلة: | - |
| السلطة - ماكس: | 1.25W |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| درجة حرارة التشغيل: | - |
| الضوضاء الشكل (ديسيبل الطباع @ و): | 2dB ~ 3dB @ 500MHz |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| ربح: | 13dB ~ 15.5dB |
| تردد - تحول: | 5GHz |
| وصف تفصيلي: | RF Transistor NPN 15V 200mA 5GHz 1.25W Surface Mount 8-SO |
| العاصمة الربح الحالي (HFE) (مين) @ جيم، VCE: | 50 @ 50mA, 5V |
| الحالي - جامع (IC) (ماكس): | 200mA |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لMRF5812R1
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
MRF5812MR2 | Microsemi | TRANS NPN 15V 200MA | تحقيق |
 |
MRF586 | Microsemi | TRANS RF BIPO 1W 200MA TO39 | تحقيق |
|
MRF559GT | Microsemi | COMM/BIPOLAR TRANSISTOR | تحقيق |
 |
MRF5P20180HR6 | NXP Semiconductors / Freescale | FET RF 65V 1.99GHZ NI-1230 | تحقيق |
 |
MRF581G | Microsemi | TRANS NPN 18V 200MA MACRO X | تحقيق |
 |
MRF5P21045NR1 | NXP Semiconductors / Freescale | FET RF 2CH 65V 2.17GHZ TO-270-4 | تحقيق |
 |
MRF581A | Microsemi | TRANS NPN 15V 200MA MACRO X | تحقيق |
 |
MRF5812GR1 | Microsemi | TRANS NPN 15V 200MA 8-SOIC | تحقيق |
|
MRF559T | Microsemi | COMM/BIPOLAR TRANSISTOR | تحقيق |
 |
MRF581 | Microsemi | TRANS NPN 18V 200MA MACRO X | تحقيق |
|
MRF5P20180HR5 | NXP Semiconductors / Freescale | FET RF 65V 1.99GHZ NI-1230 | تحقيق |
|
MRF5812GR2 | Microsemi | TRANS NPN 15V 200MA 8-SOIC | تحقيق |
|
MRF5812 | Microsemi | TRANS NPN 15V 200MA SO8 | تحقيق |
|
MRF5812G | Microsemi | TRANS NPN 15V 200MA SO8 | تحقيق |
|
MRF5812MR1 | Microsemi | TRANS NPN 15V 200MA | تحقيق |
|
MRF5812M | Microsemi | TRANS NPN 15V 200MA | تحقيق |
|
MRF5812R2 | Microsemi Corporation | RF TRANS NPN 18V 200MA 8SOIC | تحقيق |
 |
MRF5P21180HR5 | NXP Semiconductors / Freescale | FET RF 65V 2.16GHZ NI-1230 | تحقيق |
|
MRF586G | Microsemi | TRANS BIPO NPN TO-39 | تحقيق |
 |
MRF581AG | Microsemi | TRANS RF NPN 5GHZ 15V MACR0 X | تحقيق |
Latest الأخبار
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات