MJE271G
MJE271G
Modèle de produit:
MJE271G
Fabricant:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description:
TRANS PNP DARL 100V 2A TO-225
Statut sans plomb:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité en stock:
40164 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
MJE271G.pdf

introduction

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Spécifications

État New & Original, tested
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Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max):100V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:3V @ 1.2mA, 120mA
Transistor Type:PNP - Darlington
Package composant fournisseur:TO-225AA
Séries:-
Puissance - Max:1.5W
Emballage:Bulk
Package / Boîte:TO-225AA, TO-126-3
Autres noms:MJE271G-ND
MJE271GOS
Température de fonctionnement:-65°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Fréquence - Transition:6MHz
Description détaillée:Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 100V 2A 6MHz 1.5W Through Hole TO-225AA
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce:1500 @ 120mA, 10V
Courant - Collecteur Cutoff (Max):1mA
Courant - Collecteur (Ic) (max):2A
Email:[email protected]

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