MJE253G
MJE253G
Modèle de produit:
MJE253G
Fabricant:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description:
TRANS PNP 100V 4A TO225AA
Statut sans plomb:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité en stock:
27941 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
MJE253G.pdf

introduction

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Spécifications

État New & Original, tested
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Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max):100V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:600mV @ 100mA, 1A
Transistor Type:PNP
Package composant fournisseur:TO-225AA
Séries:-
Puissance - Max:1.5W
Emballage:Bulk
Package / Boîte:TO-225AA, TO-126-3
Autres noms:MJE253GOS
Température de fonctionnement:-65°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:9 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Fréquence - Transition:40MHz
Description détaillée:Bipolar (BJT) Transistor PNP 100V 4A 40MHz 1.5W Through Hole TO-225AA
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce:40 @ 200mA, 1V
Courant - Collecteur Cutoff (Max):100nA (ICBO)
Courant - Collecteur (Ic) (max):4A
Email:[email protected]

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