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MJD31C1
- Modèle de produit:
- MJD31C1
- Fabricant:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- La description:
- TRANS NPN 100V 3A IPAK
- Statut sans plomb:
- Contient du plomb / Non conforme à RoHS
- Quantité en stock:
- 41440 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Délai de mise en œuvre:
- 4-8 weeks
- Fiche technique:
- MJD31C1.pdf
introduction
Spécifications
| État | New & Original, tested |
|---|---|
| Pays d'origine | Contact us |
| Code de marquage | Send by email |
| Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max): | 100V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: | 1.2V @ 375mA, 3A |
| Transistor Type: | NPN |
| Package composant fournisseur: | I-PAK |
| Séries: | - |
| Puissance - Max: | 1.56W |
| Emballage: | Tube |
| Package / Boîte: | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Température de fonctionnement: | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Fréquence - Transition: | 3MHz |
| Description détaillée: | Bipolar (BJT) Transistor NPN 100V 3A 3MHz 1.56W Through Hole I-PAK |
| Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 10 @ 3A, 4V |
| Courant - Collecteur Cutoff (Max): | 50µA |
| Courant - Collecteur (Ic) (max): | 3A |
| Numéro de pièce de base: | MJD31 |
| Email: | [email protected] |
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