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MJD3055G
- Modèle de produit:
- MJD3055G
- Fabricant:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- La description:
- TRANS NPN 60V 10A DPAK
- Statut sans plomb:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- Quantité en stock:
- 41775 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Délai de mise en œuvre:
- 4-8 weeks
- Fiche technique:
- MJD3055G.pdf
introduction
Spécifications
| État | New & Original, tested |
|---|---|
| Pays d'origine | Contact us |
| Code de marquage | Send by email |
| Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max): | 60V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: | 8V @ 3.3A, 10A |
| Transistor Type: | NPN |
| Package composant fournisseur: | DPAK |
| Séries: | - |
| Puissance - Max: | 1.75W |
| Emballage: | Tube |
| Package / Boîte: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Autres noms: | MJD3055G-ND MJD3055GOS |
| Température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Fréquence - Transition: | 2MHz |
| Description détaillée: | Bipolar (BJT) Transistor NPN 60V 10A 2MHz 1.75W Surface Mount DPAK |
| Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 20 @ 4A, 4V |
| Courant - Collecteur Cutoff (Max): | 50µA |
| Courant - Collecteur (Ic) (max): | 10A |
| Numéro de pièce de base: | MJD3055 |
| Email: | [email protected] |
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