MJD3055G
MJD3055G
Modello di prodotti:
MJD3055G
fabbricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione:
TRANS NPN 60V 10A DPAK
Stato senza piombo:
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità di magazzino:
41775 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Tempi di consegna:
4-8 weeks
Scheda dati:
MJD3055G.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Original, tested
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Tensione - rottura collettore-emettitore (max):60V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic:8V @ 3.3A, 10A
Tipo transistor:NPN
Contenitore dispositivo fornitore:DPAK
Serie:-
Potenza - Max:1.75W
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Altri nomi:MJD3055G-ND
MJD3055GOS
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Frequenza - transizione:2MHz
Descrizione dettagliata:Bipolar (BJT) Transistor NPN 60V 10A 2MHz 1.75W Surface Mount DPAK
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce:20 @ 4A, 4V
Corrente - Cutoff collettore (max):50µA
Corrente - collettore (Ic) (max):10A
Numero di parte base:MJD3055
Email:[email protected]

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