JAN2N2221AUB est disponible maintenant!La technologie LYNTEAM est le distributeur de stockage pour JAN2N2221AUB, nous avons les stocks d'expédition immédiate et également disponibles pour l'approvisionnement de longue date.Veuillez nous envoyer votre plan d'achat pour JAN2N2221AUB par courrier électronique, nous vous donnerons un meilleur prix en fonction de votre plan.
Achetez JAN2N2221AUB avec LYNTEAM, économisez votre argent et votre temps.
Notre email: [email protected]
JAN2N2221AUB
- Modèle de produit:
- JAN2N2221AUB
- Fabricant:
- Microsemi
- La description:
- TRANS NPN 50V 0.8A
- Statut sans plomb:
- Contient du plomb / Non conforme à RoHS
- Quantité en stock:
- 20865 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Délai de mise en œuvre:
- 4-8 weeks
- Fiche technique:
- JAN2N2221AUB.pdf
introduction
Spécifications
| État | New & Original, tested |
|---|---|
| Pays d'origine | Contact us |
| Code de marquage | Send by email |
| Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max): | 50V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: | 1V @ 50mA, 500mA |
| Transistor Type: | NPN |
| Package composant fournisseur: | UB |
| Séries: | Military, MIL-PRF-19500/255 |
| Puissance - Max: | 500mW |
| Emballage: | Bulk |
| Package / Boîte: | 3-SMD, No Lead |
| Autres noms: | 1086-20684 1086-20684-MIL |
| Température de fonctionnement: | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 23 Weeks |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Fréquence - Transition: | - |
| Description détaillée: | Bipolar (BJT) Transistor NPN 50V 800mA 500mW Surface Mount UB |
| Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 40 @ 150mA, 10V |
| Courant - Collecteur Cutoff (Max): | 50nA |
| Courant - Collecteur (Ic) (max): | 800mA |
| Email: | [email protected] |
pièces connexes JAN2N2221AUB
Latest Nouvelles
- Le plan de Micron pour construire une mémoire flash nand à des prix élevés ou une maintenance
- Les performances ADI sont réduites, les substrats en feuille de cuivre ont augmenté, le stockage de la production d'usine d'usine d'origine conservatrice
- La vague d'intelligence dans la voiture arrive, et Aimus Oslang a aidé Sagita Juguang à libérer le MX Lidar
- La capacité de production HBM est exclue, la mémoire DRAM peut être en panne au second semestre
- Les fondateurs de mur finiront, HBM ou feront remonter le DRAM
- Demande d'expansion des téléphones portables et PC IA, amélioration de l'industrie mondiale de la fabrication de semi-conducteurs
- Comprendre les besoins des systèmes de surveillance ADAS et de cabine pour les capteurs d'image de sécurité du réseau
- Il est dit que Samsung et Sk Hynix ont arrêté DDR3, et la citation de promotion a augmenté de 20%
- Melexis a publié MLX90427: Contrôle des lignes au nouveau choix, sûr, efficace et économique
- Le rapport financier de NXP et Ansonmei a annoncé et le prix des prix du cuivre est transmis à l'industrie IC
- Moels Micro Electronics a créé de nouveaux bureaux à Taiwan, en Chine, pour développer le territoire des affaires
- Les performances de Texas Instruments doivent encore être stimulées, et les deux usines de stockage poussent de nouveaux produits de mémoire flash