JAN2N2221AUB متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل JAN2N2221AUB، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل JAN2N2221AUB عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء JAN2N2221AUB مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
JAN2N2221AUB
- رقم القطعة:
- JAN2N2221AUB
- الصانع:
- Microsemi
- وصف:
- TRANS NPN 50V 0.8A
- حالة خالية من الرصاص:
- يحتوي الرصاص / بنفايات غير متوافقة
- كمية المخزون:
- 20865 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- JAN2N2221AUB.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس): | 50V |
| اصلاحات تشبع (ماكس) @ باء، جيم: | 1V @ 50mA, 500mA |
| نوع الترانزستور: | NPN |
| تجار الأجهزة حزمة: | UB |
| سلسلة: | Military, MIL-PRF-19500/255 |
| السلطة - ماكس: | 500mW |
| التعبئة والتغليف: | Bulk |
| حزمة / كيس: | 3-SMD, No Lead |
| اسماء اخرى: | 1086-20684 1086-20684-MIL |
| درجة حرارة التشغيل: | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 23 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| تردد - تحول: | - |
| وصف تفصيلي: | Bipolar (BJT) Transistor NPN 50V 800mA 500mW Surface Mount UB |
| العاصمة الربح الحالي (HFE) (مين) @ جيم، VCE: | 40 @ 150mA, 10V |
| الحالي - جامع القطع (ماكس): | 50nA |
| الحالي - جامع (IC) (ماكس): | 800mA |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لJAN2N2221AUB
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
JAN2N2218 | Microsemi | TRANS NPN 30V 0.8A TO39 | تحقيق |
|
JAN2N2218AL | Microsemi | TRANS NPN 50V 0.8A TO5 | تحقيق |
 |
JAN2N2219AL | Microsemi | TRANS NPN 50V 0.8A | تحقيق |
|
JAN2N2060L | Microsemi | TRANS 2NPN 60V 0.5A TO78 | تحقيق |
|
JAN2N2221AUA | Microsemi | TRANS NPN 50V 0.8A | تحقيق |
|
JAN2N2323AS | Microsemi | DIODE SILICON CTRL TO39 | تحقيق |
|
JAN2N2218A | Microsemi | TRANS NPN 50V 0.8A TO39 | تحقيق |
 |
JAN2N2222A | Microsemi | TRANS NPN 50V 0.8A | تحقيق |
|
JAN2N2221AL | Microsemi | TRANS NPN 50V 0.8A TO18 | تحقيق |
 |
JAN2N2219 | Microsemi | TRANS NPN 30V 0.8A | تحقيق |
|
JAN2N2323AU4 | Microsemi | SCR 50V 3SMD | تحقيق |
|
JAN2N2323U4 | Microsemi | SCR 50V 3SMD | تحقيق |
|
JAN2N2219A | Microsemi | TRANS NPN 50V 0.8A | تحقيق |
|
JAN2N2323S | Microsemi | DIODE SILICON CTRL TO39 | تحقيق |
|
JAN2N2222AUB | Microsemi | TRANS NPN 50V 0.8A | تحقيق |
|
JAN2N2323 | Microsemi | DIODE SILICON CTRL TO-5 | تحقيق |
|
JAN2N2221A | Microsemi | TRANS NPN 50V 0.8A TO18 | تحقيق |
|
JAN2N2323A | Microsemi | DIODE SILICON CTRL TO-5 | تحقيق |
|
JAN2N2222AUA | Microsemi | TRANS NPN 50V 0.8A | تحقيق |
|
JAN2N2222AL | Microsemi | TRANS NPN 50V 0.8A | تحقيق |
Latest الأخبار
- جرد دورة المحاكاة في القاع
- خطة Micron لبناء مصنع ، ذاكرة فلاش NAND بأسعار أو صيانة مرتفعة
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل