Français
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Hrvatska Ελλάδα✕
À propos de nous | Nous contacter | Demander un devis |
Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > IXTT10P50
IXTT10P50
IXTT10P50
Modèle de produit:
IXTT10P50
Fabricant:
IXYS Corporation
La description:
MOSFET P-CH 500V 10A TO-268
Statut sans plomb:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité en stock:
25504 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
IXTT10P50.pdf
Enquête

introduction

IXTT10P50 est disponible maintenant!La technologie LYNTEAM est le distributeur de stockage pour IXTT10P50, nous avons les stocks d'expédition immédiate et également disponibles pour l'approvisionnement de longue date.Veuillez nous envoyer votre plan d'achat pour IXTT10P50 par courrier électronique, nous vous donnerons un meilleur prix en fonction de votre plan.
Achetez IXTT10P50 avec LYNTEAM, économisez votre argent et votre temps.
Notre email: [email protected]

Spécifications

État New & Original, tested
Pays d'origine Contact us
Code de marquage Send by email
Vgs (th) (Max) @ Id:5V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:TO-268
Séries:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:900 mOhm @ 5A, 10V
Dissipation de puissance (max):300W (Tc)
Emballage:Bulk
Package / Boîte:TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:4700pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:160nC @ 10V
type de FET:P-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):10V
Tension drain-source (Vdss):500V
Description détaillée:P-Channel 500V 10A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount TO-268
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:10A (Tc)
Email:[email protected]

Requête rapide Quote

Modèle de produit
Quantité
Compagnie
Email
Téléphone
Remarques / Notes

pièces connexes IXTT10P50

image Modèle de produit Fabricant La description Vue
IXTT12N150 Image IXTT12N150 IXYS Corporation MOSFET N-CH 1500V 12A TO-268 Enquête
IXTT02N450HV Image IXTT02N450HV IXYS Corporation MOSFET N-CH 4500V 0.2A TO268 Enquête
IXTT140P10T Image IXTT140P10T IXYS Corporation MOSFET P-CH 100V 140A TO-268 Enquête
IXTT10N100D2 Image IXTT10N100D2 IXYS Corporation MOSFET N-CH 1000V 10A TO-267 Enquête
IXTR36P15P Image IXTR36P15P IXYS Corporation MOSFET P-CH 150V 22A ISOPLUS247 Enquête
IXTT120N15P Image IXTT120N15P IXYS Corporation MOSFET N-CH 150V 120A TO-268 Enquête
IXTR62N15P Image IXTR62N15P IXYS Corporation MOSFET N-CH ISOPLUS-247 Enquête
IXTT110N10L2 Image IXTT110N10L2 IXYS Corporation MOSFET N-CH 100V 110A TO-268 Enquête
IXTT11P50 Image IXTT11P50 IXYS Corporation MOSFET P-CH 500V 11A TO-268 Enquête
IXTT100N25P Image IXTT100N25P IXYS Corporation MOSFET N-CH 250V 100A TO-268 Enquête
IXTT110N10P Image IXTT110N10P IXYS Corporation MOSFET N-CH 100V 110A TO-268 Enquête
IXTT10N100D Image IXTT10N100D IXYS Corporation MOSFET N-CH 1000V 10A TO-268 Enquête
IXTT12N150HV Image IXTT12N150HV IXYS Corporation MOSFET N-CH 1.5KV 12A TO268 Enquête
IXTR90P20P Image IXTR90P20P IXYS Corporation MOSFET P-CH 200V 53A ISOPLUS247 Enquête
IXTR48P20P Image IXTR48P20P IXYS Corporation MOSFET P-CH 200V 30A ISOPLUS247 Enquête
IXTR40P50P Image IXTR40P50P IXYS Corporation MOSFET P-CH 500V 22A ISOPLUS247 Enquête
IXTT12N140 Image IXTT12N140 IXYS Corporation MOSFET N-CH 1400V 12A TO268 Enquête
IXTT140N10P Image IXTT140N10P IXYS Corporation MOSFET N-CH 100V 140A TO-268 Enquête
IXTR90P10P Image IXTR90P10P IXYS Corporation MOSFET P-CH 100V 57A ISOPLUS247 Enquête
IXTT10P60 Image IXTT10P60 IXYS Corporation MOSFET P-CH 600V 10A TO-268 Enquête

Latest Nouvelles