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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > IXTT02N450HV
IXTT02N450HV
IXTT02N450HV
Modèle de produit:
IXTT02N450HV
Fabricant:
IXYS Corporation
La description:
MOSFET N-CH 4500V 0.2A TO268
Statut sans plomb:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité en stock:
25512 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
IXTT02N450HV.pdf
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Spécifications

État New & Original, tested
Pays d'origine Contact us
Code de marquage Send by email
Vgs (th) (Max) @ Id:6.5V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:TO-268
Séries:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:750 Ohm @ 10mA, 10V
Dissipation de puissance (max):113W (Tc)
Emballage:Tube
Package / Boîte:TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:24 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:256pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:10.4nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):10V
Tension drain-source (Vdss):4500V
Description détaillée:N-Channel 4500V 200mA (Tc) 113W (Tc) Surface Mount TO-268
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:200mA (Tc)
Email:[email protected]

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