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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > IXTA182N055T7
IXTA182N055T7
IXTA182N055T7
Modèle de produit:
IXTA182N055T7
Fabricant:
IXYS Corporation
La description:
MOSFET N-CH 55V 182A TO-263-7
Statut sans plomb:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité en stock:
20889 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
IXTA182N055T7.pdf
Enquête

introduction

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Spécifications

État New & Original, tested
Pays d'origine Contact us
Code de marquage Send by email
Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:TO-263-7 (IXTA..7)
Séries:TrenchMV™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:5 mOhm @ 25A, 10V
Dissipation de puissance (max):360W (Tc)
Emballage:Tube
Package / Boîte:TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
Température de fonctionnement:-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:4850pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:114nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):10V
Tension drain-source (Vdss):55V
Description détaillée:N-Channel 55V 182A (Tc) 360W (Tc) Surface Mount TO-263-7 (IXTA..7)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:182A (Tc)
Email:[email protected]

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