русский
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Hrvatska Ελλάδα✕
О нас | Контакт | Запрос цитаты |
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - канальные транзисторы, полевые транз > IXTA182N055T7
IXTA182N055T7
IXTA182N055T7
Тип продуктов:
IXTA182N055T7
производитель:
IXYS Corporation
Описание:
MOSFET N-CH 55V 182A TO-263-7
Бессвинцовый статус:
Без свинца / Соответствует RoHS
Количество на складе:
20889 Pieces
Срок поставки:
1-2 days
Время выполнения заказа:
4-8 weeks
Техническая спецификация:
IXTA182N055T7.pdf
запрос

Введение

IXTA182N055T7 теперь доступен!Технология LYNTEAM - это штамповочный дистрибьютор для IXTA182N055T7, у нас есть акции для немедленной доставки, а также доступны в течение длительного времени.Пожалуйста, отправьте нам свой план покупки для IXTA182N055T7 по электронной почте, мы дадим вам лучшую цену в соответствии с вашим планом.
Купить IXTA182N055T7 с LYNTEAM, сохраните свои деньги и время.
Наше письмо: [email protected]

Спецификация

Состояние New & Original, tested
Страна происхождения Contact us
Код маркировки Send by email
Vgs (й) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Vgs (макс.):±20V
Технологии:MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства:TO-263-7 (IXTA..7)
Серии:TrenchMV™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:5 mOhm @ 25A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс):360W (Tc)
упаковка:Tube
Упаковка /:TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
Рабочая Температура:-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип установки:Surface Mount
Уровень чувствительности влаги (MSL):1 (Unlimited)
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds:4850pF @ 25V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs:114nC @ 10V
Тип FET:N-Channel
FET Характеристика:-
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On):10V
Слить к источнику напряжения (VDSS):55V
Подробное описание:N-Channel 55V 182A (Tc) 360W (Tc) Surface Mount TO-263-7 (IXTA..7)
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C:182A (Tc)
Email:[email protected]

Быстрый запрос Цитировать

Тип продуктов
Количество
Компания
Эл. почта
Телефон
Примечание

Связанные части для IXTA182N055T7

Образ Тип продуктов Производители Описание Посмотреть
IXTA170N075T2 Image IXTA170N075T2 IXYS Corporation MOSFET N-CH 75V 170A TO-263 запрос
IXTA182N055T Image IXTA182N055T IXYS Corporation MOSFET N-CH 55V 182A TO-263 запрос
IXTA180N055T Image IXTA180N055T IXYS Corporation MOSFET N-CH 55V 180A TO-263 запрос
IXTA1R6N100D2 Image IXTA1R6N100D2 IXYS Corporation MOSFET N-CH 1000V 1.6A D2PAK запрос
IXTA1N200P3HV Image IXTA1N200P3HV IXYS Corporation MOSFET N-CH 2000V 1A TO-263HV запрос
IXTA16N50P Image IXTA16N50P IXYS Corporation MOSFET N-CH 500V 16A D2-PAK запрос
IXTA1N100 Image IXTA1N100 IXYS Corporation MOSFET N-CH 1000V 1.5A TO-263 запрос
IXTA180N085T Image IXTA180N085T IXYS Corporation MOSFET N-CH 85V 180A TO-263 запрос
IXTA1R4N120P Image IXTA1R4N120P IXYS Corporation MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO-263 запрос
IXTA160N10T Image IXTA160N10T IXYS Corporation MOSFET N-CH 100V 160A TO-263 запрос
IXTA180N085T7 Image IXTA180N085T7 IXYS Corporation MOSFET N-CH 85V 180A TO-263-7 запрос
IXTA180N10T Image IXTA180N10T IXYS Corporation MOSFET N-CH 100V 180A TO-263 запрос
IXTA180N10T7 Image IXTA180N10T7 IXYS Corporation MOSFET N-CH 100V 180A TO-263-7 запрос
IXTA18P10T Image IXTA18P10T IXYS Corporation MOSFET P-CH 100V 18A TO-263 запрос
IXTA1N170DHV Image IXTA1N170DHV IXYS Corporation MOSFET N-CH 1700V 1A TO-263 запрос
IXTA1N100P Image IXTA1N100P IXYS Corporation MOSFET N-CH 1000V 1A TO-263 запрос
IXTA1N120P Image IXTA1N120P IXYS Corporation MOSFET N-CH 1200V 1A TO-263 запрос
IXTA1R4N100P Image IXTA1R4N100P IXYS Corporation MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO-263 запрос
IXTA1N80 Image IXTA1N80 IXYS Corporation MOSFET N-CH 800V 750MA TO-263 запрос
IXTA160N10T7 Image IXTA160N10T7 IXYS Corporation MOSFET N-CH 100V 160A TO-263-7 запрос

Latest Новости