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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > IXFA38N30X3
IXFA38N30X3
IXFA38N30X3
Modèle de produit:
IXFA38N30X3
Fabricant:
IXYS Corporation
La description:
FET N-CHANNEL
Quantité en stock:
58331 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
IXFA38N30X3.pdf
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Spécifications

État New & Original, tested
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Vgs (th) (Max) @ Id:4.5V @ 1mA
Vgs (Max):±20V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:TO-263
Séries:HiPerFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:50 mOhm @ 19A, 10V
Dissipation de puissance (max):240W (Tc)
Package / Boîte:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:24 Weeks
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:2240pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:35nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):10V
Tension drain-source (Vdss):300V
Description détaillée:N-Channel 300V 38A (Tc) 240W (Tc) Surface Mount TO-263
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:38A (Tc)
Email:[email protected]

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