IXFA38N30X3 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل IXFA38N30X3، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل IXFA38N30X3 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء IXFA38N30X3 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
IXFA38N30X3
- رقم القطعة:
- IXFA38N30X3
- الصانع:
- IXYS Corporation
- وصف:
- FET N-CHANNEL
- كمية المخزون:
- 58331 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- IXFA38N30X3.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 4.5V @ 1mA |
| فغس (ماكس): | ±20V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-263 |
| سلسلة: | HiPerFET™ |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 50 mOhm @ 19A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 240W (Tc) |
| حزمة / كيس: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 24 Weeks |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 2240pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 35nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 10V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 300V |
| وصف تفصيلي: | N-Channel 300V 38A (Tc) 240W (Tc) Surface Mount TO-263 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 38A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIXFA38N30X3
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IXFA3N120 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 1200V 3A TO-263 | تحقيق |
|
IXFA230N075T2 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 75V 230A TO-263AA | تحقيق |
 |
IXFA270N06T3 | IXYS Corporation | 60V/270A TRENCHT3 HIPERFET MOSFE | تحقيق |
|
IXFA26N50P3 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 500V 26A TO-263AA | تحقيق |
|
IXFA3N80 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 800V 3.6A TO-263 | تحقيق |
|
IXFA30N60X | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 600V 30A TO-263 | تحقيق |
|
IXFA5N100P | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 1000V 5A TO-263 | تحقيق |
|
IXFA4N100Q-TRL | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 1000V 4A TO-263 | تحقيق |
 |
IXFA4N85X | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 850V 3.5A TO263 | تحقيق |
|
IXFA4N60P3 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 600V 4A TO-263AA | تحقيق |
|
IXFA3N120TRL | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 1200V 3A TO-263 | تحقيق |
|
IXFA34N65X2 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 650V 34A TO-263 | تحقيق |
|
IXFA24N60X | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 600V 24A TO-263 | تحقيق |
|
IXFA4N100Q | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 1000V 4A TO-263 | تحقيق |
 |
IXFA30N25X3 | IXYS Corporation | MOSFET N-CHANNEL 250V 30A TO263 | تحقيق |
|
IXFA56N30X3 | IXYS Corporation | 300V/56A ULTRA JUNCTION X3-CLASS | تحقيق |
|
IXFA36N30P3 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 300V 36A TO-263AA | تحقيق |
|
IXFA4N100P | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 1000V 4A D2PAK | تحقيق |
 |
IXFA230N075T2-7 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 75V 230A TO-263-7 | تحقيق |
|
IXFA36N20X3 | IXYS Corporation | 200V/36A ULTRA JUNCTION X3-CLASS | تحقيق |
Latest الأخبار
- أطلقت Qorvo التمهيدية الراقية ذات 5G Mmimo الرائعة في هذا المجال
- جرد دورة المحاكاة في القاع
- خطة Micron لبناء مصنع ، ذاكرة فلاش NAND بأسعار أو صيانة مرتفعة
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC