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IRG7CH30K10EF
- Modèle de produit:
- IRG7CH30K10EF
- La description:
- IGBT CHIP WAFER
- Statut sans plomb:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- Quantité en stock:
- 31452 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Délai de mise en œuvre:
- 4-8 weeks
- Fiche technique:
- IRG7CH30K10EF.pdf
introduction
Spécifications
| État | New & Original, tested |
|---|---|
| Pays d'origine | Contact us |
| Code de marquage | Send by email |
| Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max): | 1200V |
| Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic: | 2.56V @ 15V, 10A |
| Condition de test: | 600V, 10A, 22 Ohm, 15V |
| Td (marche / arrêt) à 25 ° C: | 10ns/90ns |
| énergie de commutation: | - |
| Package composant fournisseur: | Die |
| Séries: | - |
| Package / Boîte: | Die |
| Autres noms: | SP001536250 |
| Température de fonctionnement: | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 16 Weeks |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Type d'entrée: | Standard |
| type de IGBT: | Trench |
| gate charge: | 4.8nC |
| Description détaillée: | IGBT Trench 1200V 10A Surface Mount Die |
| Courant - Collecteur (Ic) (max): | 10A |
| Email: | [email protected] |
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