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IRG7CH30K10EF
- Modelo do Produto:
- IRG7CH30K10EF
- Descrição:
- IGBT CHIP WAFER
- Status sem chumbo:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade em estoque:
- 31452 Pieces
- Tempo de entrega:
- 1-2 days
- Tempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de dados:
- IRG7CH30K10EF.pdf
Introdução
Especificações
| Condição | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origem | Contact us |
| Código de Marcação | Send by email |
| Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max): | 1200V |
| Vce (on) (Max) @ VGE, Ic: | 2.56V @ 15V, 10A |
| Condição de teste: | 600V, 10A, 22 Ohm, 15V |
| Td (ligar / desligar) @ 25 ° C: | 10ns/90ns |
| Alternando Energia: | - |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | Die |
| Série: | - |
| Caixa / Gabinete: | Die |
| Outros nomes: | SP001536250 |
| Temperatura de operação: | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega padrão do fabricante: | 16 Weeks |
| Status sem chumbo / status de RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Tipo de entrada: | Standard |
| Tipo de IGBT: | Trench |
| portão de carga: | 4.8nC |
| Descrição detalhada: | IGBT Trench 1200V 10A Surface Mount Die |
| Atual - Collector (Ic) (Max): | 10A |
| Email: | [email protected] |
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