IPB107N20NAATMA1
IPB107N20NAATMA1
Modèle de produit:
IPB107N20NAATMA1
Fabricant:
International Rectifier (Infineon Technologies)
La description:
MOSFET N-CH 200V 88A TO263-3
Statut sans plomb:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité en stock:
57259 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
IPB107N20NAATMA1.pdf

introduction

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Spécifications

État New & Original, tested
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Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 270µA
Vgs (Max):±20V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:D²PAK (TO-263AB)
Séries:OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:10.7 mOhm @ 88A, 10V
Dissipation de puissance (max):300W (Tc)
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Autres noms:IPB107N20NA
IPB107N20NA-ND
IPB107N20NAATMA1TR
IPB107N20NATR-ND
SP000877674
Température de fonctionnement:-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:7100pF @ 100V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:87nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):10V
Tension drain-source (Vdss):200V
Description détaillée:N-Channel 200V 88A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:88A (Tc)
Email:[email protected]

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