IPB100N06S3L-04
IPB100N06S3L-04
Modèle de produit:
IPB100N06S3L-04
Fabricant:
International Rectifier (Infineon Technologies)
La description:
MOSFET N-CH 55V 100A TO-263
Statut sans plomb:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité en stock:
51996 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
IPB100N06S3L-04.pdf

introduction

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Spécifications

État New & Original, tested
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Code de marquage Send by email
Vgs (th) (Max) @ Id:2.2V @ 150µA
Vgs (Max):±16V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:PG-TO263-3-2
Séries:OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:3.5 mOhm @ 80A, 10V
Dissipation de puissance (max):214W (Tc)
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Autres noms:IPB100N06S3L-04-ND
IPB100N06S3L-04INTR
IPB100N06S3L04XT
SP000102219
Température de fonctionnement:-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:17270pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:362nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):5V, 10V
Tension drain-source (Vdss):55V
Description détaillée:N-Channel 55V 100A (Tc) 214W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:100A (Tc)
Email:[email protected]

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