IPB107N20NAATMA1
IPB107N20NAATMA1
제품 모델:
IPB107N20NAATMA1
제조사:
International Rectifier (Infineon Technologies)
기술:
MOSFET N-CH 200V 88A TO263-3
무연 상태:
무연 / RoHS 준수
재고 수량:
57259 Pieces
배달 시간:
1-2 days
리드 타임:
4-8 weeks
데이터 시트:
IPB107N20NAATMA1.pdf

소개

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규격

조건 New & Original, tested
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마킹 코드 Send by email
아이디 @ VGS (일) (최대):4V @ 270µA
Vgs (최대):±20V
과학 기술:MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지:D²PAK (TO-263AB)
연속:OptiMOS™
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대):10.7 mOhm @ 88A, 10V
전력 소비 (최대):300W (Tc)
포장:Tape & Reel (TR)
패키지 / 케이스:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
다른 이름들:IPB107N20NA
IPB107N20NA-ND
IPB107N20NAATMA1TR
IPB107N20NATR-ND
SP000877674
작동 온도:-55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형:Surface Mount
수분 민감도 (MSL):1 (Unlimited)
무연 여부 / RoHS 준수 여부:Lead free / RoHS Compliant
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds:7100pF @ 100V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs:87nC @ 10V
FET 유형:N-Channel
FET 특징:-
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On):10V
소스 전압에 드레인 (Vdss):200V
상세 설명:N-Channel 200V 88A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id):88A (Tc)
Email:[email protected]

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