HN3A51F(TE85L,F)
HN3A51F(TE85L,F)
Modèle de produit:
HN3A51F(TE85L,F)
Fabricant:
Toshiba Semiconductor and Storage
La description:
TRANS 2PNP 120V 0.1A SM6
Statut sans plomb:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité en stock:
35712 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
HN3A51F(TE85L,F).pdf

introduction

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Spécifications

État New & Original, tested
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Code de marquage Send by email
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max):120V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:300mV @ 1mA, 10mA
Transistor Type:2 PNP (Dual)
Package composant fournisseur:SM6
Séries:-
Puissance - Max:300mW
Emballage:Original-Reel®
Package / Boîte:SC-74, SOT-457
Autres noms:HN3A51F(TE85LF)DKR
Température de fonctionnement:150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Fréquence - Transition:100MHz
Description détaillée:Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 120V 100mA 100MHz 300mW Surface Mount SM6
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce:200 @ 2mA, 6V
Courant - Collecteur Cutoff (Max):100nA (ICBO)
Courant - Collecteur (Ic) (max):100mA
Email:[email protected]

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