HN3A51F(TE85L,F)
HN3A51F(TE85L,F)
Artikelnummer:
HN3A51F(TE85L,F)
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung:
TRANS 2PNP 120V 0.1A SM6
Lead Free Status:
Bleifrei / RoHS-konform
Bestandsmenge:
35712 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Vorlaufzeit:
4-8 weeks
Datenblatt:
HN3A51F(TE85L,F).pdf

Einführung

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Spezifikation

Bedingung New & Original, tested
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Markierungscode Send by email
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):120V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic:300mV @ 1mA, 10mA
Transistor-Typ:2 PNP (Dual)
Supplier Device-Gehäuse:SM6
Serie:-
Leistung - max:300mW
Verpackung:Original-Reel®
Verpackung / Gehäuse:SC-74, SOT-457
Andere Namen:HN3A51F(TE85LF)DKR
Betriebstemperatur:150°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
Frequenz - Übergang:100MHz
detaillierte Beschreibung:Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 120V 100mA 100MHz 300mW Surface Mount SM6
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE:200 @ 2mA, 6V
Strom - Collector Cutoff (Max):100nA (ICBO)
Strom - Kollektor (Ic) (max):100mA
Email:[email protected]

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