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HN3C51F-BL(TE85L,F
- Artikelnummer:
- HN3C51F-BL(TE85L,F
- Hersteller:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Beschreibung:
- TRANS 2NPN 120V 0.1A SM6
- Lead Free Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- Bestandsmenge:
- 29396 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days
- Vorlaufzeit:
- 4-8 weeks
- Datenblatt:
- HN3C51F-BL(TE85L,F.pdf
Einführung
Spezifikation
| Bedingung | New & Original, tested |
|---|---|
| Ursprungsland | Contact us |
| Markierungscode | Send by email |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max): | 120V |
| VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic: | 300mV @ 1mA, 10mA |
| Transistor-Typ: | 2 NPN (Dual) |
| Supplier Device-Gehäuse: | SM6 |
| Serie: | - |
| Leistung - max: | 300mW |
| Verpackung: | Original-Reel® |
| Verpackung / Gehäuse: | SC-74, SOT-457 |
| Andere Namen: | HN3C51F-BL(TE85LF)DKR HN3C51F-BL(TE85LF)DKR-ND HN3C51F-BL(TE85LFDKR |
| Betriebstemperatur: | 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| Frequenz - Übergang: | 100MHz |
| detaillierte Beschreibung: | Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 120V 100mA 100MHz 300mW Surface Mount SM6 |
| DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE: | 350 @ 2mA, 6V |
| Strom - Collector Cutoff (Max): | 100nA (ICBO) |
| Strom - Kollektor (Ic) (max): | 100mA |
| Email: | [email protected] |
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