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HIP6601BECB
HIP6601BECB
Modèle de produit:
HIP6601BECB
Fabricant:
Intersil
La description:
IC DRVR MOSFET SYNC BUCK 8EPSOIC
Statut sans plomb:
Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Quantité en stock:
21448 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
HIP6601BECB.pdf
Enquête

introduction

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Spécifications

État New & Original, tested
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Code de marquage Send by email
Tension - Alimentation:10.8 V ~ 13.2 V
Package composant fournisseur:8-SOIC-EP
Séries:-
Rise / Fall Time (Typ):20ns, 20ns
Emballage:Tube
Package / Boîte:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Température de fonctionnement:0°C ~ 125°C (TJ)
Nombre de conducteurs:2
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):2 (1 Year)
Tension logique - VIL, VIH:-
Statut sans plomb / Statut RoHS:Contains lead / RoHS non-compliant
Type d'entrée:Non-Inverting
Côté haut potentiel - Max (Bootstrap):15V
Type de porte:N-Channel MOSFET
Configuration pilotée:Half-Bridge
Description détaillée:Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 8-SOIC-EP
Current - Peak Output (Source, Évier):-
courant de charge:Synchronous
Numéro de pièce de base:HIP6601B
Email:[email protected]

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