HIP6601BECB
HIP6601BECB
Modello di prodotti:
HIP6601BECB
fabbricante:
Intersil
Descrizione:
IC DRVR MOSFET SYNC BUCK 8EPSOIC
Stato senza piombo:
Contiene piombo / RoHS non conforme
Quantità di magazzino:
21448 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Tempi di consegna:
4-8 weeks
Scheda dati:
HIP6601BECB.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Original, tested
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Codice di marcatura Send by email
Tensione di alimentazione -:10.8 V ~ 13.2 V
Contenitore dispositivo fornitore:8-SOIC-EP
Serie:-
Tempo di salita / scadenza (Typ):20ns, 20ns
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
temperatura di esercizio:0°C ~ 125°C (TJ)
Frequenza di ingresso:2
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):2 (1 Year)
Tensione logica - VIL, VIH:-
Stato senza piombo / Stato RoHS:Contains lead / RoHS non-compliant
Tipo di ingresso:Non-Inverting
Tensione lato alta corrente - Max (bootstrap):15V
Tipo di porta:N-Channel MOSFET
Configurazione guidata:Half-Bridge
Descrizione dettagliata:Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 8-SOIC-EP
Corrente - Uscita di picco (sorgente, dispersore):-
Base-Emitter Tensione di saturazione (max):Synchronous
Numero di parte base:HIP6601B
Email:[email protected]

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