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GSID150A120S3B1
- Modèle de produit:
- GSID150A120S3B1
- Fabricant:
- Global Power Technologies Group
- La description:
- SILICON IGBT MODULES
- Statut sans plomb:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- Quantité en stock:
- 29997 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Délai de mise en œuvre:
- 4-8 weeks
- Fiche technique:
- GSID150A120S3B1.pdf
introduction
Spécifications
| État | New & Original, tested |
|---|---|
| Pays d'origine | Contact us |
| Code de marquage | Send by email |
| Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max): | 1200V |
| Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic: | 2V @ 15V, 150A |
| Package composant fournisseur: | D3 |
| Séries: | Amp+™ |
| Puissance - Max: | 940W |
| Package / Boîte: | D-3 Module |
| Température de fonctionnement: | -40°C ~ 150°C |
| NTC thermistance: | No |
| Type de montage: | Chassis Mount |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 8 Weeks |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Cies) @ Vce: | 14nF @ 25V |
| Contribution: | Standard |
| type de IGBT: | - |
| Description détaillée: | IGBT Module 2 Independent 1200V 300A 940W Chassis Mount D3 |
| Courant - Collecteur Cutoff (Max): | 1mA |
| Courant - Collecteur (Ic) (max): | 300A |
| Configuration: | 2 Independent |
| Email: | [email protected] |
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