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GSID100A120T2C1A
- Modèle de produit:
- GSID100A120T2C1A
- Fabricant:
- Global Power Technologies Group
- La description:
- SILICON IGBT MODULES
- Statut sans plomb:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- Quantité en stock:
- 31768 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Délai de mise en œuvre:
- 4-8 weeks
- Fiche technique:
- GSID100A120T2C1A.pdf
introduction
Spécifications
| État | New & Original, tested |
|---|---|
| Pays d'origine | Contact us |
| Code de marquage | Send by email |
| Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max): | 1200V |
| Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic: | 2.1V @ 15V, 100A |
| Package composant fournisseur: | Module |
| Séries: | Amp+™ |
| Puissance - Max: | 800W |
| Package / Boîte: | Module |
| Température de fonctionnement: | -40°C ~ 150°C |
| NTC thermistance: | Yes |
| Type de montage: | Chassis Mount |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 8 Weeks |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Cies) @ Vce: | 13.7nF @ 25V |
| Contribution: | Three Phase Bridge Rectifier |
| type de IGBT: | - |
| Description détaillée: | IGBT Module Three Phase Inverter 1200V 200A 800W Chassis Mount Module |
| Courant - Collecteur Cutoff (Max): | 1mA |
| Courant - Collecteur (Ic) (max): | 200A |
| Configuration: | Three Phase Inverter |
| Email: | [email protected] |
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