FGH60T65SQD-F155
FGH60T65SQD-F155
Modèle de produit:
FGH60T65SQD-F155
Fabricant:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description:
650V 60A FS4 TRENCH IGBT
Quantité en stock:
20556 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
FGH60T65SQD-F155.pdf

introduction

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Spécifications

État New & Original, tested
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Code de marquage Send by email
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max):650V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic:2.1V @ 15V, 60A
Condition de test:400V, 15A, 4.7 Ohm, 15V
Td (marche / arrêt) à 25 ° C:20.8ns/102ns
énergie de commutation:227µJ (on), 100µJ (off)
Package composant fournisseur:TO-247-3
Séries:-
Temps de recouvrement inverse (trr):34.6ns
Puissance - Max:333W
Package / Boîte:TO-247-3
Autres noms:FGH60T65SQD-F155-ND
FGH60T65SQD-F155OS
Température de fonctionnement:-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):Not Applicable
Statut sans plomb:Lead free
Type d'entrée:Standard
type de IGBT:Trench Field Stop
gate charge:79nC
Description détaillée:IGBT Trench Field Stop 650V 120A 333W Through Hole TO-247-3
Courant - Collecteur pulsée (Icm):240A
Courant - Collecteur (Ic) (max):120A
Email:[email protected]

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