Az FGH60T65SQD-F155 most elérhető!Az LYNTEAM technológia az FGH60T65SQD-F155 állományelosztója, az azonnali szállításra és hosszú ideig rendelkezésre álló készletek is rendelkezésre állnak.Kérjük, küldje elvásárlásitervetFGH60T65SQD-F155e-mailben,akkor kapszegylegjobb ár szerinta tervet.
Vásároljon FGH60T65SQD-F155 LYNTEAM-vel, takarítson meg pénzt és időt.
E-mailünk: [email protected]
FGH60T65SQD-F155
- Cikkszám:
- FGH60T65SQD-F155
- Leírás:
- 650V 60A FS4 TRENCH IGBT
- Készlet mennyiség:
- 20556 Pieces
- Szállítási idő:
- 1-2 days
- Vezetői idő:
- 4-8 weeks
- Adatlap:
- FGH60T65SQD-F155.pdf
Bevezetés
Műszaki adatok
| Feltétel | New & Original, tested |
|---|---|
| Származási ország | Contact us |
| Jelölési kód | Send by email |
| Feszültség - Collector Emitter Breakdown (Max): | 650V |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: | 2.1V @ 15V, 60A |
| Teszt állapot: | 400V, 15A, 4.7 Ohm, 15V |
| Td (be / ki) @ 25 ° C: | 20.8ns/102ns |
| Energiaváltás: | 227µJ (on), 100µJ (off) |
| Szállító eszközcsomag: | TO-247-3 |
| Sorozat: | - |
| Hátralévő helyreállítási idő (trr): | 34.6ns |
| Teljesítmény - Max: | 333W |
| Csomagolás / tok: | TO-247-3 |
| Más nevek: | FGH60T65SQD-F155-ND FGH60T65SQD-F155OS |
| Üzemi hőmérséklet: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Szerelési típus: | Through Hole |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL): | Not Applicable |
| Ólommentes állapot: | Lead free |
| Bemeneti típus: | Standard |
| IGBT típus: | Trench Field Stop |
| Gate Charge: | 79nC |
| Részletes leírás: | IGBT Trench Field Stop 650V 120A 333W Through Hole TO-247-3 |
| Jelenlegi - kollektoros impulzusos (Icm): | 240A |
| Áram - kollektor (Ic) (Max): | 120A |
| Email: | [email protected] |
Kapcsolódó alkatrészek az FGH60T65SQD-F155-hoz
Latest News
- A Micron terve egy gyári, NAND flash memória magas áron vagy karbantartáson történő felépítésére irányuló terve
- Az ADI teljesítménye csökken, a rézfólia -szubsztrátok emelkedtek, az eredeti gyár tárolása növekvő termelési konzervatív
- Jön az intelligencia hulláma az autóban, és Aimus Oslang segített Sagita Juguang felszabadítani az MX Lidar -ot
- A HBM termelési kapacitása ki van zárva, a DRAM memória az év második felében hiányos lehet
- A fali alapítók véget érnek, a HBM vagy a DRAM ismét felemelkedése
- AI mobiltelefon- és PC bővítési igény, globális félvezető gyártási ipar fejlesztése
- Értse meg az ADAS és a kabin -megfigyelő rendszerek igényeit a hálózati biztonsági képérzékelők számára
- Pletykálják, hogy a Samsung és az SK Hynix megállította a DDR3 -t, és a promóciós idézet 20 % -kal emelkedett
- A Melexis kiadta az MLX90427 -et: Vonalvezérlés az új választáshoz, biztonságos, hatékony és gazdaságos
- Az NXP és az Ansonmei pénzügyi jelentése bejelentette, és a rézárak árát továbbítják az IC -ipar számára
- A Moels Micro Electronics új irodákat hozott létre Tajvanon, Kínában, hogy kibővítse az üzleti területet
- A Texas Instruments teljesítményét még meg kell növelni, és a két tárolóüzem új flash memória termékeket nyom be