FGH25N120FTDS
FGH25N120FTDS
Modèle de produit:
FGH25N120FTDS
Fabricant:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description:
IGBT 1200V 50A 313W TO247
Statut sans plomb:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité en stock:
39552 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
FGH25N120FTDS.pdf

introduction

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Spécifications

État New & Original, tested
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Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max):1200V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic:2V @ 15V, 25A
Condition de test:600V, 25A, 10 Ohm, 15V
Td (marche / arrêt) à 25 ° C:26ns/151ns
énergie de commutation:1.42mJ (on), 1.16mJ (off)
Package composant fournisseur:TO-247
Séries:-
Temps de recouvrement inverse (trr):535ns
Puissance - Max:313W
Emballage:Tube
Package / Boîte:TO-247-3
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Type d'entrée:Standard
type de IGBT:Trench Field Stop
gate charge:169nC
Description détaillée:IGBT Trench Field Stop 1200V 50A 313W Through Hole TO-247
Courant - Collecteur pulsée (Icm):75A
Courant - Collecteur (Ic) (max):50A
Email:[email protected]

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