FGH20N60UFDTU est disponible maintenant!La technologie LYNTEAM est le distributeur de stockage pour FGH20N60UFDTU, nous avons les stocks d'expédition immédiate et également disponibles pour l'approvisionnement de longue date.Veuillez nous envoyer votre plan d'achat pour FGH20N60UFDTU par courrier électronique, nous vous donnerons un meilleur prix en fonction de votre plan.
Achetez FGH20N60UFDTU avec LYNTEAM, économisez votre argent et votre temps.
Notre email: [email protected]
FGH20N60UFDTU
- Modèle de produit:
- FGH20N60UFDTU
- Fabricant:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- La description:
- IGBT 600V 40A 165W TO247
- Statut sans plomb:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- Quantité en stock:
- 30692 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Délai de mise en œuvre:
- 4-8 weeks
- Fiche technique:
- FGH20N60UFDTU.pdf
introduction
Spécifications
| État | New & Original, tested |
|---|---|
| Pays d'origine | Contact us |
| Code de marquage | Send by email |
| Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max): | 600V |
| Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic: | 2.4V @ 15V, 20A |
| Condition de test: | 400V, 20A, 10 Ohm, 15V |
| Td (marche / arrêt) à 25 ° C: | 13ns/87ns |
| énergie de commutation: | 380µJ (on), 260µJ (off) |
| Package composant fournisseur: | TO-247 |
| Séries: | - |
| Temps de recouvrement inverse (trr): | 34ns |
| Puissance - Max: | 165W |
| Emballage: | Tube |
| Package / Boîte: | TO-247-3 |
| Température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Type d'entrée: | Standard |
| type de IGBT: | Field Stop |
| gate charge: | 63nC |
| Description détaillée: | IGBT Field Stop 600V 40A 165W Through Hole TO-247 |
| Courant - Collecteur pulsée (Icm): | 60A |
| Courant - Collecteur (Ic) (max): | 40A |
| Email: | [email protected] |
pièces connexes FGH20N60UFDTU
Latest Nouvelles
- Inventaire du cycle de simulation Fothing Out, AI Drives La demande de mémoire flash se poursuit
- Le plan de Micron pour construire une mémoire flash nand à des prix élevés ou une maintenance
- Les performances ADI sont réduites, les substrats en feuille de cuivre ont augmenté, le stockage de la production d'usine d'usine d'origine conservatrice
- La vague d'intelligence dans la voiture arrive, et Aimus Oslang a aidé Sagita Juguang à libérer le MX Lidar
- La capacité de production HBM est exclue, la mémoire DRAM peut être en panne au second semestre
- Les fondateurs de mur finiront, HBM ou feront remonter le DRAM
- Demande d'expansion des téléphones portables et PC IA, amélioration de l'industrie mondiale de la fabrication de semi-conducteurs
- Comprendre les besoins des systèmes de surveillance ADAS et de cabine pour les capteurs d'image de sécurité du réseau
- Il est dit que Samsung et Sk Hynix ont arrêté DDR3, et la citation de promotion a augmenté de 20%
- Melexis a publié MLX90427: Contrôle des lignes au nouveau choix, sûr, efficace et économique
- Le rapport financier de NXP et Ansonmei a annoncé et le prix des prix du cuivre est transmis à l'industrie IC
- Moels Micro Electronics a créé de nouveaux bureaux à Taiwan, en Chine, pour développer le territoire des affaires