FGAF20N60SMD
FGAF20N60SMD
Modèle de produit:
FGAF20N60SMD
Fabricant:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description:
IGBT 600V 40A 62.5W TO-3PF
Statut sans plomb:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité en stock:
36247 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
FGAF20N60SMD.pdf

introduction

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Spécifications

État New & Original, tested
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Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max):600V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic:1.7V @ 15V, 20A
Condition de test:400V, 20A, 10 Ohm, 15V
Td (marche / arrêt) à 25 ° C:12ns/91ns
énergie de commutation:452µJ (on), 141µJ (off)
Package composant fournisseur:TO-3PF
Séries:-
Temps de recouvrement inverse (trr):26.7ns
Puissance - Max:75W
Emballage:Tube
Package / Boîte:SC-94
Température de fonctionnement:-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Type d'entrée:Standard
type de IGBT:Field Stop
gate charge:64nC
Description détaillée:IGBT Field Stop 600V 40A 75W Through Hole TO-3PF
Courant - Collecteur pulsée (Icm):60A
Courant - Collecteur (Ic) (max):40A
Email:[email protected]

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