EMF5XV6T5
EMF5XV6T5
Modèle de produit:
EMF5XV6T5
Fabricant:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description:
TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.5W SOT56
Statut sans plomb:
Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Quantité en stock:
54016 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
EMF5XV6T5.pdf

introduction

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Spécifications

État New & Original, tested
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Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max):50V, 12V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:250mV @ 300µA, 10mA / 250mV @ 10mA, 200mA
Transistor Type:1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
Package composant fournisseur:SOT-563
Séries:-
Résistance - Base de l'émetteur (R2):47 kOhms
Résistance - Base (R1):47 kOhms
Puissance - Max:500mW
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:SOT-563, SOT-666
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Contains lead / RoHS non-compliant
Fréquence - Transition:-
Description détaillée:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP 50V, 12V 100mA, 500mA 500mW Surface Mount SOT-563
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce:80 @ 5mA, 10V / 270 @ 10mA, 2V
Courant - Collecteur Cutoff (Max):500nA
Courant - Collecteur (Ic) (max):100mA, 500mA
Numéro de pièce de base:EMF
Email:[email protected]

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