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EMF17T2R
- Modèle de produit:
- EMF17T2R
- Fabricant:
- LAPIS Semiconductor
- La description:
- TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.15W EMT6
- Statut sans plomb:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- Quantité en stock:
- 34436 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Délai de mise en œuvre:
- 4-8 weeks
- Fiche technique:
- EMF17T2R.pdf
introduction
Spécifications
| État | New & Original, tested |
|---|---|
| Pays d'origine | Contact us |
| Code de marquage | Send by email |
| Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max): | 50V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: | 300mV @ 500µA, 10mA / 500mV @ 5mA, 50mA |
| Transistor Type: | 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP |
| Package composant fournisseur: | EMT6 |
| Séries: | - |
| Résistance - Base de l'émetteur (R2): | 2.2 kOhms |
| Résistance - Base (R1): | 2.2 kOhms |
| Puissance - Max: | 150mW |
| Emballage: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte: | SOT-563, SOT-666 |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Fréquence - Transition: | 250MHz, 140MHz |
| Description détaillée: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP 50V 100mA, 150mA 250MHz, 140MHz 150mW Surface Mount EMT6 |
| Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 20 @ 20mA, 5V / 180 @ 1mA, 6V |
| Courant - Collecteur Cutoff (Max): | 500nA |
| Courant - Collecteur (Ic) (max): | 100mA, 150mA |
| Email: | [email protected] |
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